US OPEN10:20 ET
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CRYETH2,211.72 0.92%
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🔬 DUDU RESEARCH CENTER
PRIVATE
NEUTRAL
방향성 불명확 — 강세/약세 신호가 혼재된 중립 구간
전략 균등 배분
← VALUECHAIN

Equipment_Lithography

반도체 / Equipment_Lithography

  • 상위 섹터: [[Research_DB/Sectors/반도체]]

Companies (Dataview)

TABLE company, market, ticker, spotlight_tech, updated
FROM "Research_DB/개별종목"
WHERE sector = this.sector AND value_chain = this.value_chain AND status = "current"
SORT updated DESC
LIMIT 200

핵심 플레이어 (티커 + 한줄 설명)

티커기업명한줄 설명
ASMLASML (네덜란드)EUV 노광 장비 세계 100% 독점, 반도체 장비 최고 해자 기업
7731Nikon (일본)ArF 이머전 노광 장비, 성숙 노드·DRAM 비첨단 공정 공급
7751Canon (일본)ArF·i-line 노광 장비, 후공정·성숙 노드 집중

경쟁 구도 (선도자 vs 도전자)

  • 선도자: ASML이 EUV(0.33NA) 및 High-NA EUV(0.55NA) 노광 장비를 100% 독점 공급, 대체재 없음
  • 도전자: Nikon·Canon은 ArF 이머전 장비로 28nm 이상 성숙 공정에 집중, 첨단 노드 경쟁 사실상 포기
  • 중국 SMEE(상하이마이크로전자)가 ArF 이머전 장비 개발 시도 중이나 기술 격차 최소 10년 이상
  • EUV 공급망(광원: Cymer/Trumpf, 마스크: Hoya/Shin-Etsu) 전체가 ASML 생태계에 종속

모멘텀 / 촉매 (2026 Q1)

  1. High-NA EUV(0.55NA) 고객 납품 시작 — TSMC·삼성전자 2nm 이하 공정 라인에 EXE:5000 시리즈 납품 개시
  2. 2nm 이하 공정 필수화 — GAA 기반 2nm(TSMC N2, 삼성 SF2) 양산 임박으로 EUV 발주 급증
  3. High-NA EUV 단가 상승 — 기존 EUV 대비 2~3배 높은 장비 단가(약 3억 달러/대)로 ASP 상승
  4. TSMC 애리조나 N2 팹 — 미국 현지 생산을 위한 EUV 장비 추가 발주, 미국 수출 제한 예외
  5. 메모리 EUV 적용 확대 — 삼성·SK하이닉스 DRAM 1b nm 이하에 EUV 레이어 수 증가

리스크

리스크 항목내용영향도
네덜란드 정부 수출규제대중 EUV 수출 금지 지속, DUV(ArF) 추가 규제 가능성
생산 캐파 한계연간 EUV 생산량 약 60~70대, High-NA는 수십 대 수준으로 수요 대비 공급 부족
부품 공급망 집중광원·광학계 공급사 소수 집중, 단일 공급사 이슈 시 납기 지연
고객 집중TSMC·삼성·인텔 3사가 EUV 수요 90%+ 차지, 1개사 투자 축소 시 충격
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(자동 업데이터가 채웁니다)

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