US OPEN10:20 ET
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VOLVIX20.23 5.20%
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CMDWTI101.08 3.60%
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🔬 DUDU RESEARCH CENTER
PRIVATE
NEUTRAL
방향성 불명확 — 강세/약세 신호가 혼재된 중립 구간
전략 균등 배분
← VALUECHAIN

Equipment_Etch

반도체 / Equipment_Etch

  • 상위 섹터: [[Research_DB/Sectors/반도체]]

Companies (Dataview)

TABLE company, market, ticker, spotlight_tech, updated
FROM "Research_DB/개별종목"
WHERE sector = this.sector AND value_chain = this.value_chain AND status = "current"
SORT updated DESC
LIMIT 200

핵심 플레이어 (티커 + 한줄 설명)

티커기업명한줄 설명
LRCXLam Research식각 장비 글로벌 1위, 3D NAND 고종횡비 식각 독점적 강점
AMATApplied Materials식각 2위, CVD·PVD와 시너지 통합 공급
8035Tokyo Electron (TEL)식각 3위, 코팅·현상 연계로 아시아 팹 강세
AMEC중국 AMEC (688012)중국 내 식각 국산화 선두, 성숙 노드 집중

경쟁 구도 (선도자 vs 도전자)

  • 선도자: Lam Research가 3D NAND 고종횡비 식각(HAR Etch) 시장 점유율 50%+로 사실상 독점적 지위
  • 도전자: AMAT이 이온빔 식각·ALE(원자층 식각) 기술로 GAA 노드 침투 강화, TEL이 일본·한국 현지 서비스 네트워크로 추격
  • 중국 AMEC이 제재 이후 28nm 이하 국산 식각 장비 개발에 집중, 내수 시장 빠르게 장악
  • ALE(Atomic Layer Etch) 기술이 GAA 구조 필수화되며 Lam·AMAT 기술 투자 경쟁 심화

모멘텀 / 촉매 (2026 Q1)

  1. GAA 구조 전환으로 Dry Etch 고도화 — 나노시트 형성을 위한 선택적 식각 정밀도 요건 급증
  2. EUV 노광 후 식각 정밀도 요구 증가 — 멀티패터닝 대체로 EUV 1회 노광 후 단일 식각 정확도 중요
  3. 3D NAND 200층+ 고층화 — 깊은 홀(HAR) 식각 스텝 증가로 장비 발주 확대
  4. 원자층 식각(ALE) 채택 가속 — 원자 1층 단위 정밀 제거 기술이 2nm 이하 노드 필수화
  5. 미국·일본 현지 팹 신규 발주 — TSMC 애리조나 N2 팹, 인텔 18A 라인 식각 장비 대규모 수주

리스크

리스크 항목내용영향도
중국 수출규제 지속Lam·AMAT 대중 첨단 식각 장비 수출 금지 확대, 중국 매출 비중 약 30%
파운드리 투자 축소TSMC·삼성 Capex 감축 시 식각 장비 발주 급감
AMEC 성장중국 AMEC의 기술 수준 향상으로 중저가 시장 점유율 잠식
공정 복잡도 증가에 따른 개발비GAA·ALE 신기술 대응 R&D 비용 부담
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(자동 업데이터가 채웁니다)

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