Power Electronics

🎯 기술 요약

• 한 줄 정의: 전력 변환·제어 반도체(SiC/GaN/Si IGBT) — 전기차·재생에너지·산업 모터의 핵심 인버터 소자
• 핵심 가치: SiC/GaN 화합물 반도체는 Si 대비 고온·고압·고주파 동작 가능 → 전력 손실 최소화, 시스템 소형화

기술 정의/원리

전력 반도체는 전압·전류·주파수를 변환하는 인버터·컨버터·정류기의 핵심 스위칭 소자다. 기존 실리콘(Si) IGBT에서 탄화규소(SiC) MOSFET과 질화갈륨(GaN) HEMT로 세대 교체가 진행 중이다. SiC는 800V 이상 고압 EV·태양광 인버터·산업용 드라이브에 유리하고, GaN은 고주파 특성으로 서버 전원(PSU)·에어컨 인버터·급속 충전기에 사용된다. STMicroelectronics는 카타니아 SiC 일관 생산 캠퍼스(기판→에피→소자→모듈)를 구축 중이다.

현재 성숙도

TRL 9 (Si IGBT), TRL 8~9 (SiC MOSFET), TRL 7~8 (GaN on SiC/Si)

• Si IGBT: 완전 상용화, 저압·저비용 영역 지배
• SiC MOSFET: 자동차 800V EV 플랫폼(테슬라·현대·포르쉐) 탑재 확대
• GaN: 서버 PSU·소비가전·태양광 마이크로인버터 확산 중

주요 기업/연구기관

투자 관점 포인트

1. EV 800V 아키텍처 전환 가속 — 저압 Si IGBT에서 고압 SiC MOSFET으로 대량 교체 수요, 차량당 SiC 탑재량 확대
2. 재생에너지 인버터 수요 급증 — 미국 2026년 태양광 43.4GW 추가 계획, 모든 PV 시스템에 SiC/Si 인버터 필수
3. 데이터센터 전력 효율 — 서버 PSU GaN 전환으로 전력 변환 효율 94%→99% 가능, AI DC 수요와 동반 성장

2026 핵심 이벤트/마일스톤

1. GaN·SiC 시장 규모 $2.31B(2026) → $5.45B(2030) — 2026년 성장률 24.3% 예상
2. Wolfspeed 재무 구조조정 완료 여부 및 JP 모건 크레이딧 라인 활용 생산 확대
3. STMicro 카타니아 SiC 캠퍼스 1단계 가동 일정 및 공급 계약 공시

💰 왜 지금 주목(투자 포인트)

• EV·재생에너지·AI DC 3대 메가 트렌드 모두 전력 반도체 수요를 견인
• SiC 시장 과점 구조(STM·Infineon·Wolfspeed·ON Semi) — 진입 장벽 높아 수익성 방어 용이

📏 KPI (3개)

1. SiC MOSFET 웨이퍼 출하량(6인치 환산) 및 ASP 추이
2. 주요 EV OEM SiC 탑재 모델 수 및 차량당 탑재 가치($/vehicle)
3. 태양광·ESS 인버터 SiC 비중 확대율

👀 모니터링 (3개)

1. Wolfspeed 재무 상황(채무 재조정·자금 조달) 및 생산 가동률
2. 중국 SiC 업체(BYD Semiconductor·SICC) 저가 경쟁 진입 여부
3. GaN 서버 PSU 탑재율 및 Navitas/GaN Systems 수주 현황

🔗 관련 회사 (Dataview)

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FROM "Research_DB/개별종목"
WHERE contains(spotlight_tech, this.file.link)
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LIMIT 200

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