GAA (Gate-All-Around)

🎯 기술 요약

• 한 줄 정의: FinFET 이후 차세대 트랜지스터 구조(나노시트 기반 GAAFET)로 전력·성능·누설 개선.
• 핵심 가치: 3nm 이하 공정에서 FinFET의 물리적 한계를 극복, 파운드리 경쟁력의 핵심 분기점.

기술 정의/원리

기존 FinFET은 채널 3면을 게이트로 감싸는 구조인 반면, GAA(Gate-All-Around)는 나노시트(nanosheet) 또는 나노와이어(nanowire) 형태의 채널 4면 전체를 게이트로 둘러싸 정전 제어력을 극대화한다. 이를 통해 누설 전류를 대폭 감소시키고 동일 전력에서 더 높은 성능을 구현하며, 나노시트 폭 조정으로 전력/성능을 튜닝할 수 있다. 삼성은 MBCFET(Multi-Bridge Channel FET), TSMC는 nanoFET이라는 자체 명칭을 사용한다.

현재 성숙도

TRL 8-9 (삼성 양산 중, TSMC N2 2025 H2~2026 본격 확대)

• 삼성전자 SF3E(3nm GAA): 2022년 세계 최초 양산 개시, 수율 개선 진행 중
• TSMC N2(2nm GAA): 2025 H2 양산 시작, 2026년 본격 램프업
• Intel 18A(RibbonFET): 2025~2026년 양산 목표

주요 기업/연구기관

투자 관점 포인트

1. 장비 수요 증가: GAA 전환으로 공정 스텝 수 증가(ALD/ALE 장비 수요 증가) → AMAT·Lam Research·ASML 수혜.
2. EDA 수혜: GAA 설계 복잡도는 FinFET 대비 2~3배 → Synopsys·Cadence 라이선스 단가 인상 명분.
3. 파운드리 점유율 분기점: TSMC N2 수율이 업계 기준 설정, 삼성 SF3E 수율 격차가 고객 이탈 여부를 결정.

2026 핵심 이벤트/마일스톤

1. TSMC N2 고객 램프업 본격화 (2026 H1): 애플 A20, 엔비디아 차세대 AI 칩 N2 양산 물량이 TSMC 실적 견인.
2. 삼성 SF3E 주요 고객 확보 경쟁: 퀄컴·AMD 등 주요 팹리스의 삼성 GAA 채택 여부가 삼성 파운드리 반전의 신호탄.
3. Intel 18A RibbonFET 외부 고객 테이프아웃: 인텔 파운드리 서비스(IFS)의 첫 외부 고객 양산이 경쟁 구도 변화를 시사.

💰 왜 지금 주목(투자 포인트)

• 2~3nm급에서 스케일링 지속을 위한 핵심 공정 전환 포인트.
• 수율/성능/전력 개선이 파운드리 경쟁력(고객 유치/가동률)에 직결.

📏 KPI (3개)

1. 수율(yield) / defect density 추이
2. PPA(Performance/Power/Area) 개선폭
3. 고객 테이프아웃/양산 램프(웨이퍼 스타트)

👀 모니터링 (3개)

1. 삼성/TSMC/Intel 노드 로드맵(N2/2nm) 변곡점
2. 대형 고객 확보(모바일/HPC/AI) 공지
3. 수율 관련 업계 신호(리드타임/가동률)

🔗 관련 회사 (Dataview)

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