EUV

🎯 기술 요약

• 한 줄 정의: 13.5nm 극자외선(Extreme Ultraviolet) 파장 광원으로 회로 패턴을 노광하는 기술로, 7nm 이하 첨단 공정의 핵심 장비.
• 핵심 가치: ASML이 전 세계 유일 공급사로 완전 독점, 미세화 지속 가능성의 물리적 게이트키퍼.

기술 정의/원리

13.5nm 파장의 극자외선을 레이저 플라즈마로 생성하고, 반사식 광학계(Carl Zeiss SMT 렌즈)를 통해 웨이퍼에 회로 패턴을 노광한다. 기존 ArF 193nm 대비 파장이 14배 짧아 단일 노광으로 7nm 이하 패턴 구현이 가능하다. High-NA EUV(0.55 NA)는 기존 0.33 NA 대비 해상도를 추가로 약 70% 향상시킨 차세대 버전이다.

현재 성숙도

TRL 9 (완전 양산 적용)

• 표준 EUV(0.33 NA): TSMC/삼성/인텔 첨단 노드 전량 적용 중
• High-NA EUV(0.55 NA, EXE:5200): TSMC·인텔에 초도 납품, 2026년 양산 초기 적용 단계
• ASML 2025 EUV 출하 가이던스: 약 90대(표준) + High-NA 소량

주요 기업/연구기관

투자 관점 포인트

1. ASML 독점 모트: EUV 장비는 ASML 단독 공급, 대체재 없음. 백로그(수주 잔고) 규모가 2~3년 선행 수익 가시성 제공.
2. High-NA EUV 사이클: 대당 $380M+ 고가 장비로 평균판매가격(ASP) 대폭 상승 → ASML 매출·마진 구조적 레벨업.
3. 수출 규제 리스크: 미국·네덜란드 정부의 대중국 EUV 수출 금지 지속 → 중국향 매출 차단이 단기 역풍이나 장기 독점 지위 강화.

2026 핵심 이벤트/마일스톤

1. TSMC N2P 공정 High-NA EUV 최초 양산 적용 (2026 H2 예상): High-NA 장비의 수율·가동률이 시장 기대치 충족 여부가 핵심 관전 포인트.
2. ASML 연간 EUV 출하 90대 목표 달성 여부: 공급망(Carl Zeiss 렌즈 병목) 해소 속도에 따라 가이던스 상향 가능성.
3. 인텔 18A 공정 EUV 기반 양산 가동: 인텔의 파운드리 경쟁 재진입 성패가 EUV 추가 수요에 영향.

💰 왜 지금 주목(투자 포인트)

• 미세화 핵심 장비: 장비 인도량/가동률이 공정 캐파를 제한.
• High-NA로의 전환은 차세대 노드 성능·비용 구조에 영향.

📏 KPI (3개)

1. 장비 출하(인도) 대수/백로그
2. 가동률/업타임(availability)
3. High-NA 도입 일정/고객 채택

👀 모니터링 (3개)

1. ASML 분기 가이던스/백로그 변화
2. High-NA 초기 고객(파운드리) 동향
3. 미세화 투자(Capex) 사이클

🔗 관련 회사 (Dataview)

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