Etch

🎯 기술 요약

• 한 줄 정의: 플라즈마 또는 화학 반응으로 웨이퍼 상의 박막·기판을 선택적으로 제거(식각)하는 공정으로, 회로 패턴 형성의 핵심 단계.
• 핵심 가치: 3D NAND·GAA·고급패키징 구조 복잡화로 etch 공정 집약도(step 수)가 증가 → Lam Research·Tokyo Electron의 수주·매출 구조적 성장.

기술 정의/원리

플라즈마 식각(Reactive Ion Etch, RIE / Deep RIE)은 이온과 라디칼을 이용해 선택적으로 재료를 제거하며, 수직 방향성과 선택비(selectivity)가 관건이다. 3D NAND의 깊은 채널홀 식각, GAA 나노시트 채널 릴리즈, 고급패키징의 TSV 가공에서 난이도가 급격히 높아지고 있다. ALE(원자층 식각)는 ALD와 짝을 이뤄 원자 스케일 정밀도를 요구하는 차세대 노드에서 채택 중이다.

현재 성숙도

TRL 9 (전 세계 양산 공정 적용)

• 플라즈마 식각: 성숙 기술, 전 노드 적용
• NAND 채널홀 식각: Lam Research 100% 점유, TEL의 크라이오제닉 식각 기술로 경쟁 심화 예상(2025~2026)
• GAA 식각: Lam의 Akara 컨덕터 식각 툴 출시(2025.2), Direct Drive 플라즈마 제어로 원자 스케일 정밀도 구현
• 반도체 식각 장비 시장: 2026년 ~$200억 규모 추정, 2034년 $561억 목표

주요 기업/연구기관

투자 관점 포인트

1. etch intensity 구조적 증가: 200단 NAND는 100단 대비 식각 공정 step 수 2배+, GAA는 FinFET 대비 채널 릴리즈 식각 추가 → Lam·TEL 장비 수요 직접 수혜.
2. Lam의 NAND 독점 방어: TEL 크라이오 식각 기술이 실용화되면 NAND 채널홀 시장($5억→$20억 성장 예상) 경쟁 구도 변화, 시장 지위 변화 여부 모니터링 필수.
3. Capex 사이클 레버리지: 메모리·로직 Capex 회복 시 식각 장비 수주 선행 반응, 사이클 초입 투자 기회.

2026 핵심 이벤트/마일스톤

1. TEL 크라이오제닉 식각 양산 채택 여부: TEL이 NAND 채널홀 식각 시장 진입에 성공하면 Lam 독점 구도가 흔들리는 빅 이벤트.
2. 삼성·SK하이닉스 300단+ NAND 양산 로드맵 발표: 고단 NAND 전환 시 식각 장비 교체 수요 가시화.
3. TSMC N2 GAA 양산 본격화: Lam Akara 툴의 GAA 공정 내 점유율 및 수율 검증 결과 확인.

💰 왜 지금 주목(투자 포인트)

• 3D 구조(NAND·GAA·패키징) 확산으로 식각 공정 난이도와 step 수가 구조적으로 증가.
• 메모리 Capex 다운사이클 이후 회복 국면에서 식각 장비가 가장 빠르게 수주 반응하는 카테고리.

📏 KPI (3개)

1. 공정 step 수 증가율(etch intensity per wafer)
2. 장비 매출·백로그(Lam/TEL 분기 실적)
3. NAND 채널홀 etch 수율 및 선택비(selectivity) 지표

👀 모니터링 (3개)

1. 메모리·로직 Capex 사이클(삼성·SK하이닉스·TSMC 증설 계획)
2. TEL 크라이오 식각 양산 적용 여부 및 Lam 시장점유율 변동
3. GAA 공정 전환 속도(TSMC N2P·삼성 SF2 양산 일정)

🔗 관련 회사 (Dataview)

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