Deposition

🎯 기술 요약

• 한 줄 정의: 반도체 웨이퍼 위에 절연막·도전막·유전체 등 박막을 증착하는 공정(CVD/PVD/ALD)으로, 모든 로직·메모리 제조의 기초.
• 핵심 가치: GAA 트랜지스터·고단 3D NAND 확산으로 ALD(원자층 증착) 공정 비중이 급증 → Applied Materials, Lam Research, ASM International 등 장비사 수혜 구조.

기술 정의/원리

CVD(화학기상증착)는 반응 가스를 이용해 박막을 형성하고, PVD(물리기상증착)는 스퍼터링으로 금속막을 증착한다. ALD(원자층 증착)는 전구체를 한 층씩 순서대로 반응시켜 1~수 nm의 극박막을 정밀 제어하는 방식으로, GAA 나노시트 채널·하이-k 게이트 유전체·고단 NAND 구조에 필수다. ALE(원자층 식각)와 결합한 클러스터 툴 방식이 2025년 이후 주류화되고 있다.

현재 성숙도

TRL 9 (전 세계 양산 공정 적용)

• CVD/PVD: 성숙 기술, 모든 노드에 적용 중
• ALD: GAA·3D NAND·DRAM 커패시터에서 비중 급증, 2026년 ALD 장비 시장 약 79억 달러(CAGR 10%)
• 2025년 10월 TEL, ALE-ALD 클러스터 플랫폼(Tactras) 출시 → 나노시트 로직 노드 처리량 18% 향상

주요 기업/연구기관

투자 관점 포인트

1. ALD 집약도 증가: GAA 나노시트 구조는 기존 FinFET 대비 ALD 공정 step 수 2~3배 증가 → ASP·출하량 동반 상승.
2. 3D NAND 고단화: 200단 이상 NAND에서 ALD·CVD 공정 비중 확대, Capex 사이클 회복 시 직접 수혜.
3. 과점 구도: AMAT·LRCX·ASM·TEL 상위 4개사가 전체 증착 장비 시장의 85%+ 점유, 신규 진입 장벽 높음.

2026 핵심 이벤트/마일스톤

1. TSMC N2/N2P 양산 개시: GAA 전환으로 ALD 집약도 급등 → ASM International·Applied Materials 수주 모멘텀 확인 시점.
2. 3D NAND Capex 회복: 삼성·SK하이닉스·Micron의 NAND 증설 재개 여부 → Lam·TEL CVD/ALD 장비 수주 선행지표.
3. ALD 시장 $100억 돌파 시점 가시화: 2027~2028년 $100억 규모 도달 예상, 2026년 성장 궤적 확인 필요.

💰 왜 지금 주목(투자 포인트)

• 미세화와 3D 구조화가 동시에 진행되면서 증착 공정 횟수·정밀도 요건이 구조적으로 상승.
• ALD 장비는 범용 대체재 없음 → 공정 전환 시 필수 장비 교체 수요 발생.

📏 KPI (3개)

1. ALD/CVD 채택 확대(공정 step 수 증가율)
2. 장비 출하 대수 및 ASP(평균판매가격) 추이
3. 막 두께 균일도(within-wafer uniformity) / 결함 밀도

👀 모니터링 (3개)

1. 노드 전환(GAA 도입) 시 ALD 공정 레시피 변화 및 장비사 수주 가이던스
2. 메모리 Capex 사이클(삼성·SK하이닉스 3D NAND 증설 재개 시점)
3. 대체 공정(선택적 증착·ALE 클러스터화) 진전 및 시장 침투율

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